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フラッシュメモリー

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ニューヘイロは、1998年4月に設立されました。アジア経済危機、ロシア経済危機と多難な経済情勢が続く中で新しい産業技術開発の必要性が指摘されていました。DRAM全盛のなか、今後は電気を切っても記憶した情報が消えない、しかも超高速の不揮発性のフラッシュメモリーが主役になると提案しました。
フラッシュメモリーニューヘイロが提案、政府の補助金を得て開発に取り組んだTWINMONOS型のフラッシュメモリーは試作に成功し、当時のDRAMに近づくほどの世界最高の高速書き込み、読み出し性能を達成しました。
 フラッシュメモリーはダムのようなとこにデータを書き込んでいますが、TWINMONOSは三層の膜の間に電荷を記録、速度が速く、劣化しにくいのが特徴です。


1417824542213新しいフラッシュメモリーはその後日本の半導体メーカ―によってマイコンとして量産化され、いまでは世界中の自動車にコントロールチップとして採用が進んでいます。電気自動車や自動運転など環境対策や安全対策には無くてはならない頼もしい技術となっています。